北京哪里治疗白癜风最给力 http://www.bdfyy999.com/m/（报告出品方/作者：民生证券，方竞、童秋涛）
1东微半导：中高压MOSFET巨头，进军IGBT市场
1.1技术驱动型功率半导体厂商，专注汽车工业级市场
公司成立于年，是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体公司，产品主要应用于汽车及工业相关等中大功率应用领域，公司较早实现第三代产品布局，是国内在12英寸晶圆产线上较早实现功率器件量产的功率器件设计公司之一。公司主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET，通过不断进行技术创新，进一步开发了超级硅MOSFET、TGBT等新产品。未来公司将持续开发更多新型高性能功率半导体产品，致力于成为国际领先的功率半导体厂商。
高压超级结MOSFET：产品具备动态损耗低、大限度抑制开关震荡等优势。H1营收2.39亿元，占比达74.55%，为主营产品，料号近千种。公司的高压MOSFET产品全部采用超级结的技术原理，具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。在节能减碳的大趋势下，电源系统正追求小型化，高效化，公司GreenMOS系列高压超级结产品基于其高效率低阻抗的特点，特别适用于直流大功率新能源汽车充电桩、新能源、5G等应用领域。高压超级结技术领域积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。
中低压屏蔽栅MOSFET：工作电压覆盖25V-V，合计超过种型号。H1营收0.8亿元，占比24.96%。公司中低压MOSFET产品均采用屏蔽栅结构，主要包括SFGMOS产品系列以及FSMOS产品系列。其中，SFGMOS产品系列采用自对准屏蔽栅结构，兼备了传统平面结构和屏蔽栅结构的优点，并具有更高的工艺稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。FSMOS产品系列采用基于硅基工艺与电荷平衡原理的新型屏蔽栅结构，兼备普通VDMOS与分裂栅器件的优点，具有更高的工艺稳定性、可靠性、较低的导通电阻与器件的优值以及更高的应用效率与系统兼容性。公司亦积累了包括优化电荷平衡、自对准加工等核心技术，产品的关键技术指标达到了国内领先水平。
超级硅MOSFET：自主研发性能对标氮化镓功率器件的高性能产品。H1营收占比0.41%。目前已有18种型号进入量产。公司的超级硅MOSFET采用硅基材料，具有工艺成熟度高、工艺成本低及高可靠性等技术特点及竞争优势，特别适用于高密度电源系统，如新能源汽车充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类PC适配器等领域。
TGBT：自主研发IGBT器件结构，优化了导通损耗与开关损耗。H1营收占比0.07%。公司的IGBT产品采用具有独立知识产权的TGBT器件结构，是一种区别于国际主流IGBT的创新型器件结构，目前达到可量产水平的产品规格共有18种。TGBT在华虹8寸和12寸同步开发，于8寸已实现量产。公司TGBT主要应用在UPS、工业电源、储能逆变器，电磁炉等。
十余载耕耘，成为功率器件知名供应商。公司年以超结MOSFET切入，从年开始量产国产化超级结系列高压大功率MOSFET，产品在年首次进入工业级应用，仅一年时间便进入如艾默生（电源行业“黄埔军校”）等龙头工业级客户。年，公司更是率先量产国内首款自主研发充电桩用功率半导体器件—GreenMOS，进入国际大厂长期垄断的工业电源应用领域。同时，公司发明的原创结构的SFGMOS实现量产，进入到新能源汽车驱动、电池保护及同步整流等应用领域。年推出中低压屏蔽栅MOS，进入电动车应用。年推出超级硅系列，该产品针对快充等应用场景，具有更高功率密度+更快开关频率等特点，对比GaN性能不差且成本相对更低。
此外，公司亦进一步研发IGBT产品，年公司提出和主流方案不同的创新型产品结构，，在华虹平台能够实现国际一流产品能力。年创新型IGBT进入量产，性能达到国际一流水平，并于年开始小批量出货。
公司获华为哈勃、元禾控股等多家知名机构青睐。东微半导股权较为分散，不存在控股股东，实际控制人为公司联合创始人王鹏飞和龚轶。截至年2月，王鹏飞直接持股12.07%；龚轶直接控股9.96%。公司自创立之初，便获知名半导体基金
